前言

当今手机已成为我们日常生活中不可或缺的一部分。然而，随着手机性能的不断增强，耗电量与日俱增，电池容量也不断增长，这使得快速、高效的充电技术变得尤为重要。氮化镓作为第三代半导体材料，拥有高频、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及耐高温等卓越特性能，成为适合高温、高频、大功率场景的理想材料，可用于替代硅MOS来设计研发更紧凑、更轻薄的手机快充适配器。同时在汽车电子和工业电子领域，氮化镓都以其卓越的性能赢得了业界的广泛认可。

而英诺赛科作为本土首屈一指的第三代半导体企业，在功率器件领域展现出卓越的洞察力和前瞻性，成立之初便以IDM模式专注与硅基氮化镓产品研发，提前把握市场先机，并于2017年成功研发8英寸氮化镓硅基氮化镓晶圆，成为全球首个拥有8英寸硅基氮化镓量产线的公司。经过多年潜心研发，英诺赛科成为业界少数覆盖集晶圆、分立器件、合封芯片三大类的高新技术企业，目前在消费电子、工控、储能等多个领域均能看到英诺赛科的身影，安克、华硕、努比亚、OPPO、vivo、联想、倍思、绿联、闪极等知名品牌都是公司的客户。

英诺赛科在消费电子领域展现出卓越的创新能力和市场前瞻性，针对手机快充领域推出INN700TK240B、INN700D240B、INN700D140C三款InnoGaN产品，相较于硅MOS，天生具备低导通电阻、封装寄生参数小、超快开关速度、无反向恢复等诸多优点，满足各大手机品牌私有快充协议高压、高电流的输出需求。充电头网最近了解到，这三款氮化镓芯片已经成功导入小米旗下插座、笔电快充产品供应链。

小米67W氮化镓快充插座Pro采用InnoGaN

小米近期发售的这款67W氮化镓快充插座Pro搭载了英诺赛科新一代700V氮化镓芯片INN700TK240B。

INN700TK240B芯片采用TO252封装，具有700V的高耐压和240mΩ的超低导阻。与前代产品相比，这款芯片在耐压、散热性能、效率和功率密度等方面均有显著提升。在氮化镓技术的加持下，30分钟即可为小米14充至75%电量，小米67W 氮化镓快充插座Pro实现了体积更小，能效更高的优势。

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小米Redmi Book Pro 15标配100W快充内置InnoGaN

小米Redmi Book Pro 15标配的100W电源适配器采用了英诺赛科氮化镓芯片INN700D240B。

INN700D240B芯片同样具备700V高耐压以及240mΩ的超低导阻，该芯片采用市面主流DFN 8×8封装，其超小体积的优势能够使充电器更加小巧便携，其高效率和高功率密度的氮化镓性能，助力适配器支持百瓦快充输出，35分钟即可充至50% 电量，支持长达12小时的本地视频播放，为笔记本电脑迅速补充电量提供保障。

小米Redmi Book Pro 16标配140W 疾速充

近期小米发布的Redmi Book Pro 16标配了一款全新的140W氮化镓充电器，支持PD3.0 100W快充以及20V 7A小米私有快充协议。

这款标配的140W充电器同样采用了英诺赛科氮化镓芯片INN700D140C，该芯片采用DFN 8×8封装，具备700V高耐压以及140mΩ超低导阻，开关频率更高，助力产品支持20V7A大电流私有快充。与Redmi Book Pro15标配快充相比，输出功率从100W提升到140W，真正实现了疾速快充。

总结

英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从15V-1200V的高、中、低压全功率氮化镓产品，涵盖晶圆、分立器件、合封产品三大品类，并为客户提供全氮化镓方案设计参考。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利近700项。产品可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子及新能源等前沿领域。

英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！